东微半导(688261.SH):Si2C MOSFET实现少量出货,进入批量消费阶段
- 实时
- 2023-05-12 20:20:03
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摘要:
来源:格隆汇。格隆汇5月12日丨东微半导(688261.SH 于2023年5月12日10:00-11:00召...

来源:格隆汇
格隆汇5月12日丨东微半导(688261.SH)于2023年5月12日10:00-11:00召开2022年年度业绩申明会,问答环节中,就“做为公司股东请问:公司能否对SiC功率器件停止重点摆设?品种项目新产物能否可透露?”,公司回复称,2022年度公司在SiC二极管、SiC MOSFET及Si2C MOSFET器件上获得了较大的研发停顿,此中,Si2C MOSFET实现少量出货,进入批量消费阶段。公司已订购SiC器件造造和工艺尝试相关的部门关键设备,加大SiC造造财产链的本钱投入。同时在手艺研发上,公司已规划包罗沟槽栅SiC MOSFET器件构造等核心专利手艺,快速推进SiC MOSFET财产化。

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伊永 于 2023-05-12 21:48:17 回复
- 来源:格隆汇格隆汇5月12日丨东微半导(688261.SH)于2023年5月12日10:00-11:00召开2022年年度业绩申明会,问答环节中,就“做为公司股东请问:公司能否对SiC功率器件停止重点摆设?品种项目新产物能否可透露?”,公司回复称,2022年度公
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苏亮亮 于 2023-05-13 05:54:49 回复
- 来源:格隆汇格隆汇5月12日丨东微半导(688261.SH)于2023年5月12日10:00-11:00召开2022年年度业绩申明会,问答环节中,就“做为公司股
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卓万廉 于 2023-05-13 02:32:11 回复
- 公司已订购SiC器件造造和工艺尝试相关的部门关键设备,加大SiC造造财产链的本钱投入。同时在手艺研发上,公司已规划包罗沟槽栅SiC MOSFET器件构造等核心专利手艺,快速推进SiC MOSFET财产化。
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宇文宏达 于 2023-05-13 06:59:58 回复
- 此中,Si2C MOSFET实现少量出货,进入批量消费阶段。公司已订购SiC器件造造和工艺尝试相关的部门关键设备,加大SiC造造财产链的本钱投入。同时在手艺研发上,公司已规划包
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水彪 于 2023-05-13 04:00:54 回复
- 来源:格隆汇格隆汇5月12日丨东微半导(688261.SH)于2023年5月12日10:00-11:00召开2022年年度业绩申明会,问答环节中,就“做为公司股东请问:公司能否对SiC功率器件停止重点摆设?品种项目新产物能否可透露?”,公司回
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宦畅往 于 2023-05-12 23:55:54 回复
- 露?”,公司回复称,2022年度公司在SiC二极管、SiC MOSFET及Si2C MOSFET器件上获得了较大的研发停顿,此中,Si2C MOSFET实现少量出货,进入批量消费阶段。公司已订购SiC器件造造和工艺尝试相关的部门
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施豫颖 于 2023-05-13 00:04:34 回复
- 部门关键设备,加大SiC造造财产链的本钱投入。同时在手艺研发上,公司已规划包罗沟槽栅SiC MOSFET器件构造等核心专利手艺,快速推进SiC MOSFET财产化。
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